Einfluss von Magnetfeldern auf USB-Sticks



  • Hi,

    ich hab mich gefragt, wie stark Magnetfelder sein müssen, damit ein USB Stick seine Daten verliert.
    Stimmt es, dass ein USB Stick, der einem Röhrenmonitor zu nahe kommt schon gefährdet ist?

    Wo gibt es im Alltag Situationen, wo man aufpassen sollte?

    Ich habe es schon bei 2 USB Sticks erlebt, dass sie plötzlich ihre Formatierung verloren haben und die Daten weg waren.

    Mfg



  • flash memory ist kein magnetischer speicher. du brauchst keine angst zu haben, dass durch magnetfelder was gelöscht wird. ein starkes magnetisches wechselfeld könnte spannungen induzieren, die die elektronik von dem teil zersemmeln. aber so viel power haben die ablenkspulen eines röhrenmonitors sicherlich nicht. also: alles nur gerüchte.
    🙂



  • Wichtig ist nur zu Wissen, dass man nicht schnell Auto fahren darf, wenn man einen flash speicher dabei hat.

    Denn wie mein Vorposter schon andeutete, kann ein starkes Magnetfeld, wie z.B. das der Erde, Strom in deinen Flashspeicher induzieren, so dass die Leitungen bei zu hohen Stromstösen durchbrennen.

    Ein magnetisches Wechsefeld ist dazu gar nicht notwendig, sondern es genügt eine Bewegung mit einer hohen Geschwindigkeit durch ein Magnetfeld. Genau deswegen darf man mit dem Auto nicht schnell durch das Magnetfeld der Erde fahren, da ansonsten der Flashspeicher schaden nehmen könnte.

    Die Reise mit dem schnellen ICE oder Flugzeug ist übrigens noch schädlicher für den Flashspeicher.

    Wenn du also Flashspeicher dabei hast, dann solltest du nicht schneller als die Richtgeschwindigkeit fahren, alüso 130 km/h. Ab 160 km/h wird es schom kritisch.

    Die Richtung ist ebenfalls entscheident.

    Von West nach Ost schadet gar nicht, da quer zum Magnetfeld der Erde, aber von Nord nach Süd kann für den Flashspeicher sehr schädlich sein.



  • weiß jemand ob der text von Physiker Dct. ernst gemeint ist?



  • Du wirst es als ernst gemeint betrachten müssen bis das Gegenteil bewiesen ist.



  • na, wie schnell müßte einer wohl gegen das Erdmagnetfeld autofahren, um eine Siliziumbahn durchzubrennen ?

    Es geht doch um was ganz Anderes: die isolierte, über dem Gate eingesperrte, Ladungsmenge besteht aus relativ wenigen Ladungsträgern, und die sind sicherlich empfindlicher als die Leitungsbahnen.



  • Hallo,

    ich habe grade bei einem USB-Stick das Gehäuse auseinandergenommen und den Stick direkt mit Speicherchips an ein Paar starke Magnete drangehalten, schnell hin und herbewegt usw. Danach erfolgreich gemountet, scheinbar keine Probleme, konnte Dateien wie gehabt lesen... Und die Magnete sind wirklich stark, hab sie aus einer Festplatte rausgebaut. Man kann mit ihnen Finger einklemmen, wenn man nicht aufpasst (einer von meinen Verwandten wollte nicht glauben und hat sich wirklich bös die Haut an seiner Hand eingeklemmt).


  • Mod

    Beweis durch Gegenbeispiel: Ich habe meinen USB-Stick bereits auf einem Flug von Wien nach Kairo im Gepäck gehabt. Das ist genau die besagte Nord-Süd-Richtung. In beide Richtungen habe ich keine Schäden festgestellt. Ergo: Papulapapp.

    MfG SideWinder



  • ~fricky schrieb:

    flash memory ist kein magnetischer speicher. du brauchst keine angst zu haben, dass durch magnetfelder was gelöscht wird. ein starkes magnetisches wechselfeld könnte spannungen induzieren, die die elektronik von dem teil zersemmeln. aber so viel power haben die ablenkspulen eines röhrenmonitors sicherlich nicht. also: alles nur gerüchte.
    🙂

    OK, gut, danke.

    Mich hat vor kurzem jemand gefragt, was bei einem USB Stick zum Datenverlust führen könnte. Bei der Diskussion darüber sind wir dann diesem Gerücht aufgesessen. Aber gut dass das jetzt geklärt ist. Wieder etwas dazu gerlernt.



  • Datenverlust ist unwahrscheinlich. EEPROMS verwenden MOS-FETs um die Daten zu speichern, bei denen wird die Gateelektrode zum Kanal hin durch eine Metalloxidschicht isoliert, so daß der Kanal nur durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Die Gateelektrode wird im EEPROM nach allen Seiten hin isoliert, so daß einmal eingebrachte Ladungsträger auch drin bleiben (zur dauerhaften Speicherung). Beschrieben wird der Chip, indem an die Isolation eine Überspannung angelegt wird, die die Isolation durchschlägt, so daß Die Ladungsträger bewegt werden können. Das durch äußerliche Einflüsse zu erreichen ist schwer.

    Möglich ist jedoch, daß, wenn während des Lesevorgangs ein elektrisches Feld anliegt (zum Beispiel von einem Röhrenmonitor, der ein elektrisches Feld zur Ablenkung des Elektronenstrahls verwendet), die gelesenen Daten verfälscht werden, da der Kanal ja durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Entfernt man die Störquelle, werden auch wieder korrekte Daten gelesen, ein dauerhafter "Verlust" findet also nicht statt, aber eine Verfälschung beim Auslesen.

    Ich weiß jetzt nicht, wie es bei Flash-EEPROM ist. Im Prinzip müssen dort ja zum Schreiben ganze Blöcke ausgelesen (um die im Block bereits enthaltenen Daten zu sichern), modifiziert und wieder beschrieben werden. Wenn beim Auslesen eine Störung auftritt, sind natürlich die vorher im Block vorhandenen Daten verfälscht. Allerdings kann man ja auch zweimal auslesen und die Daten vergleichen um eine Kontrolle darüber zu erhalten, ob eine Störung vorliegt.



  • schlechte antwort schrieb:

    Du wirst es als ernst gemeint betrachten müssen bis das Gegenteil bewiesen ist.

    Gegenteil kann ich beweisen.
    Mein Auto: max 219 fährt immer noch.
    Ich habe ca. 12 Steuergeräte darin welche auch Flashspeicher drin haben.



  • Nagila Hawa schrieb:

    Datenverlust ist unwahrscheinlich. EEPROMS verwenden MOS-FETs um die Daten zu speichern, bei denen wird die Gateelektrode zum Kanal hin durch eine Metalloxidschicht isoliert, so daß der Kanal nur durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Die Gateelektrode wird im EEPROM nach allen Seiten hin isoliert, so daß einmal eingebrachte Ladungsträger auch drin bleiben (zur dauerhaften Speicherung). Beschrieben wird der Chip, indem an die Isolation eine Überspannung angelegt wird, die die Isolation durchschlägt, so daß Die Ladungsträger bewegt werden können. Das durch äußerliche Einflüsse zu erreichen ist schwer.

    Also durchschlagen wird die Isolierung sicher nicht, denn das würde normalerweise den Totalverlust des Bauelements bedeuten. Da sind irgendwelche Quanten-Effekte am Werk, welche genau, wird vielleicht ein Physiker oder E-Techniker beantworten können.

    Nagila Hawa schrieb:

    Möglich ist jedoch, daß, wenn während des Lesevorgangs ein elektrisches Feld anliegt (zum Beispiel von einem Röhrenmonitor, der ein elektrisches Feld zur Ablenkung des Elektronenstrahls verwendet), die gelesenen Daten verfälscht werden, da der Kanal ja durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Entfernt man die Störquelle, werden auch wieder korrekte Daten gelesen, ein dauerhafter "Verlust" findet also nicht statt, aber eine Verfälschung beim Auslesen.

    Hast du mal überschlagen, in welcher Größenordnung die Stärke des elektrischen Felds sein muss, um das Auslesen zu beeinträchtigen?



  • Unix-Tom schrieb:

    Gegenteil kann ich beweisen.
    Mein Auto: max 219 fährt immer noch.
    Ich habe ca. 12 Steuergeräte darin welche auch Flashspeicher drin haben.

    Die Geräte sind aber durch den Faradayschen Käfig, den das Auto bildet, abgeschirmt (notfalls durch ein im Steuergerätegehäuse integriertes Abschirmnetz), das kann man also nicht wirklich als Argument gelten lassen.



  • Ziemlich stark, das ist klar, aber es gibt durchaus starke elektrische Felder. Ich kann das schwer einschätzen, aber ich denke z.B. IN einer Kathodenstrahlröhre herrscht ein sehr starkes elektrisches Feld. Tatsächliche Datenverfälschung durch Störungen sind mir allerdings auch noch nicht aufgefallen, theoretisch aber möglich.

    Also durchschlagen wird die Isolierung sicher nicht, denn das würde normalerweise den Totalverlust des Bauelements bedeuten. Da sind irgendwelche Quanten-Effekte am Werk, welche genau, wird vielleicht ein Physiker oder E-Techniker beantworten können.

    Da bin ich mir nicht ganz sicher. Auch Luft ist eine Art Isolierung und z.B. in Zündkerzen wird diese Isolation ohne Beschädigung des Teils selber sehr sehr häufig durchschlagen. Ich denke da steckt irgendein Isolator drin, der zwar leicht beschädigt wird (deswegen auch nicht unbeschränkt häufig beschreibbar), aber es ansonsten aushält. Daß zum Schreiben aber eine wesentlich höhere Spannung benötigt wird, als im Normalbetrieb, sollte ja klar sein.

    Es könnten zwar auch zwei Halbleiterbauteile als Isolator verwendet werden (Thyristor um die Elektrode zu laden, Transistor zum Entladen, mal so als fixe Idee), die Dinger haben aber leider eine geringe Eigenleitfähigkeit und da im EEPROM die Daten recht lange erhalten bleiben müssen, was damit nicht möglich wäre, gehe ich nicht davon aus.

    Eventuell meldet sich ja wirklich noch mal jemand, der sich damit beschäftigt hat.



  • Wikipedia lesen bildet.



  • Bashar schrieb:

    Unix-Tom schrieb:

    Gegenteil kann ich beweisen.
    Mein Auto: max 219 fährt immer noch.
    Ich habe ca. 12 Steuergeräte darin welche auch Flashspeicher drin haben.

    Die Geräte sind aber durch den Faradayschen Käfig, den das Auto bildet, abgeschirmt (notfalls durch ein im Steuergerätegehäuse integriertes Abschirmnetz), das kann man also nicht wirklich als Argument gelten lassen.

    Magnetfelder kann man nicht mit einem Faradayschen Käfig abschirmen!
    Das geht nur für elektrische Felder!



  • Richtig. Allerdings kannst du magnetische Wechselfelder trotzdem durch Metallplatten abschirmen. 😉



  • Bashar schrieb:

    Die Geräte sind aber durch den Faradayschen Käfig, den das Auto bildet, abgeschirmt

    soso. schon mal mit dem handy aus einem auto heraus telefoniert? seltsam, das geht auch, trotz michael und seinem käfig.



  • ~fricky schrieb:

    soso. schon mal mit dem handy aus einem auto heraus telefoniert? seltsam, das geht auch, trotz michael und seinem käfig.

    Handys arbeiten mit wesentlich kleineren Wellenlängen als sie typischerweise im Erdmagnetfeld vorkommen.



  • Für nichtrelativistische Geschwindigkeiten (v << c_0) lässt sich die induzierte Spannung ja so ermitteln:

    U = \int \vec{e}_s \cdot \vec{E}' ds

    und

    \vec{E}_{neu} = \vec{E} + \vec{v} \times \vec{B}

    \vec{E} setzen wir gleich 0 und die magnetische Flußdichte des Erdmagnetfeldes beträgt laut Wikipedia maximal so um die 60µT. 160 km/h sind ungefähr 45 m/s. Also "sieht" der bewegte Körper ein elektrisches Feld von ungefähr 2,7 mV/m. Bei den entsprechend kleinen Leiterbahnen (<< 1m) tritt dann auch eine entsprechend kleine Spannung auf.

    @Christoph
    iirc handelt es sich um den Tunneleffekt, der ausgenutzt wird.


Log in to reply