E-Technik: BJ-Transistor
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Hi,
ich hab mal ne Frage zum BJT Transistor:
Wenn ich eine Spannung zwischen Emitter und Kollektor anlege, bildet sich ja automatisch eine Spannung zwischen Emitter und Basis aus (über den Spannungsteiler). Nun braucht ja die Spannung nur groß genug sein (abhängig von der Geometrie so ca. 6V) und schon ist der ganze Transistor leitend, da ja der Emitter-Basis Übergang in Flussrichtung gepolt ist.Ist die Schlussfolgerung, dass ich zum Sperren des Transistors die Basis auf einem niedrigeren (bei npn) oder gleichen Potential wie den Emitter haben muss (z.B. beide Basis)?
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aus der Wikipedia:
So könnte man denken :-), der Artikel weist hier Mängel auf. Der Basis-Emitter-Übergang kann nicht leitend werden, wenn die Basis nicht angeschlossen ist: Die RLZ zwischen B und E wird mit steigender Uce (und damit steigender Ube, wie du schon richtig bemerkt hast) kleiner. Sobald der BE-Übergang leitend würde, wären Basis und Emitter aber auf gleichem Potential, es würde keine Spannung mehr am Basis-Emitter-Übergang abfallen. Dies wiederspricht der Annahme, die zur Verkleinerung der RLZ zwischen B und E geführt hat (nämlich steigendes Ube). Es muss sich also ein gleichgewicht einstellen: Erhöht man Uce (bei abgeklemmter Basis), so steigt zunächst auch Ube. Die RLZ wird kleiner, was die (schlechte) Leitfähigkeit zwischen B und E leicht verbessert, und einen sehr kleinen Strom zwischen B und E erlaubt. Dieser baut wirkt der steigenden Spannung Ube entgegen. Ich hoffe das ist verständlich. Es sollte noch mit in den Artikel! --Jdiemer 20:54, 9. Feb 2005 (CET)